Транзисторы с каналом N SMD SI1424EDH-T1-GE3

 
SI1424EDH-T1-GE3
 
Артикул: 077370
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; 1,8Вт; SC70
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.94 грн
25+
17.86 грн
73+
13.50 грн
200+
12.77 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70(1453575)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
(1441365)
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм(1441270)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,8Вт(1449543)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
11,5нC(1609894)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI1424EDH-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077370
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4А; 1,8Вт; SC70
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.94 грн
25+
17.86 грн
73+
13.50 грн
200+
12.77 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC70
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
11,5нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g