0 0 0
  8. SI1443EDH-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI1443EDH-T1-GE3

 
SI1443EDH-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 953660
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А; 1,8Вт; SC70
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
37.34 грн
10+
29.40 грн
25+
21.05 грн
80+
12.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70(1453575)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-4А(1492238)
Сопротивление в открытом состоянии
54мОм(1479355)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,8Вт(1449543)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
28нC(1479173)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-15А(1741670)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI1443EDH-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 953660
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А; 1,8Вт; SC70
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
37.34 грн
10+
29.40 грн
25+
21.05 грн
80+
12.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC70
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-4А
Сопротивление в открытом состоянии
54мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
28нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-15А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g