0 0 0
  8. SI1922EDH-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI1922EDH-T1-GE3

 
SI1922EDH-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 959652
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.78 грн
10+
24.53 грн
25+
19.45 грн
73+
13.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70(1453575)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
1,3А(1492332)
Сопротивление в открытом состоянии
198мОм(1811021)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,8Вт(1507583)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
2,5нC(1632945)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
4А(1709876)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI1922EDH-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 959652
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.78 грн
10+
24.53 грн
25+
19.45 грн
73+
13.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC70
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
1,3А
Сопротивление в открытом состоянии
198мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
2,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g