0 0 0
  8. SI2301CDS-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI2301CDS-T1-GE3

 
SI2301CDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140899
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 1,6Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.60 грн
25+
11.17 грн
100+
9.97 грн
112+
8.76 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 6137 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-1,8А(1492353)
Сопротивление в открытом состоянии
142мОм(1643361)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2301CDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140899
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 1,6Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.60 грн
25+
11.17 грн
100+
9.97 грн
112+
8.76 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 6137 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-1,8А
Сопротивление в открытом состоянии
142мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g