0 0 0
  8. SI2303CDS-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI2303CDS-T1-GE3

 
SI2303CDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405820
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А; 1,5Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.77 грн
25+
13.18 грн
100+
11.59 грн
105+
10.00 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 1345 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-2,7А(1492283)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,5Вт(1487290)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8нC(1479070)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-10А(1788019)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,023 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2303CDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405820
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -10А; 1,5Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.77 грн
25+
13.18 грн
100+
11.59 грн
105+
10.00 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 1345 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-2,7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,023 g