0 0 0
  8. SI2304BDS-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI2304BDS-T1-GE3

 
SI2304BDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405701
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 0,48Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
20.88 грн
25+
18.89 грн
67+
15.16 грн
184+
14.29 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
2,6А(1479113)
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм(1441497)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,48Вт(1741764)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
4нC(1632973)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
10А(1785364)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2304BDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405701
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 0,48Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
20.88 грн
25+
18.89 грн
67+
15.16 грн
184+
14.29 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
2,6А
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,48Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g