0 0 0
  8. SI2304DDS-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI2304DDS-T1-GE3

 
SI2304DDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077374
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 1,1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.27 грн
25+
13.07 грн
96+
10.51 грн
262+
9.93 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 3841 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
3,3А(1492298)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,1Вт(1449376)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
2,1нC(1636481)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,023 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2304DDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077374
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,3А; 1,1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.27 грн
25+
13.07 грн
96+
10.51 грн
262+
9.93 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 3841 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
3,3А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2,1нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,023 g