0 0 0
  8. SI2305CDS-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI2305CDS-T1-GE3

 
SI2305CDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140900
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.13 грн
25+
13.26 грн
90+
11.27 грн
246+
10.72 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 2066 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-8В(1441472)
Ток стока
-3,5А(1492400)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,1Вт(1449376)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
30нC(1479265)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,022 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2305CDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140900
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -3,5А; Idm: -20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.13 грн
25+
13.26 грн
90+
11.27 грн
246+
10.72 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 2066 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-8В
Ток стока
-3,5А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
30нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,022 g