Транзисторы с каналом N SMD SI2306BDS-T1-E3

 
SI2306BDS-T1-E3
 
Артикул: 077375
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,5А; 0,8Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
37.24 грн
25+
30.47 грн
43+
23.15 грн
119+
21.88 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2672 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
3,5А(1441257)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,8Вт(1507583)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
4,5нC(1479336)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,03 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2306BDS-T1-E3
VISHAY
Артикул: 077375
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,5А; 0,8Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
37.24 грн
25+
30.47 грн
43+
23.15 грн
119+
21.88 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2672 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
3,5А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4,5нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,03 g