0 0 0
  8. SI2307BDS-T1-E3

Транзисторы с каналом P SMD SI2307BDS-T1-E3

 
SI2307BDS-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 405822
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
30.84 грн
25+
27.57 грн
45+
22.23 грн
124+
20.96 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-2,5А(1492293)
Сопротивление в открытом состоянии
78мОм(1479284)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,48Вт(1741764)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
15нC(1479067)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-12А(1801470)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2307BDS-T1-E3
VISHAY
Артикул: 405822
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,5А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
30.84 грн
25+
27.57 грн
45+
22.23 грн
124+
20.96 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-2,5А
Сопротивление в открытом состоянии
78мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,48Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
15нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g