Транзисторы с каналом P SMD SI2307CDS-T1-GE3

 
SI2307CDS-T1-GE3
 
Артикул: 140902
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1,8Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
36.20 грн
50+
26.05 грн
74+
13.54 грн
202+
12.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 9120 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-2,2А(1479082)
Сопротивление в открытом состоянии
138мОм(1636960)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,8Вт(1449543)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6,2нC(1479210)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2307CDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140902
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1,8Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
36.20 грн
50+
26.05 грн
74+
13.54 грн
202+
12.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 9120 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-2,2А
Сопротивление в открытом состоянии
138мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,2нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g