0 0 0
  8. SI2308BDS-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI2308BDS-T1-GE3

 
SI2308BDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077376
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,06Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
38.56 грн
3+
34.08 грн
10+
30.93 грн
25+
27.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 12104 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
1,8А(1492260)
Сопротивление в открытом состоянии
192мОм(1638690)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,06Вт(1741763)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
2,3нC(1479230)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2308BDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077376
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,06Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
38.56 грн
3+
34.08 грн
10+
30.93 грн
25+
27.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 12104 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
1,8А
Сопротивление в открытом состоянии
192мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,06Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2,3нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g