0 0 0
  8. SI2308CDS-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI2308CDS-T1-GE3

 
SI2308CDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 959603
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,6А; Idm: 6А; 1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
19.68 грн
10+
13.69 грн
25+
12.28 грн
100+
10.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
2,6А(1479113)
Сопротивление в открытом состоянии
144мОм(1711575)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
4нC(1632973)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
6А(1790199)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2308CDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 959603
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2,6А; Idm: 6А; 1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
19.68 грн
10+
13.69 грн
25+
12.28 грн
100+
10.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
2,6А
Сопротивление в открытом состоянии
144мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g