0 0 0
  8. SI2312CDS-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI2312CDS-T1-GE3

 
SI2312CDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077377
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,1А; 1,3Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
23.93 грн
10+
17.94 грн
25+
14.51 грн
90+
10.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4064 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
5,1А(1479146)
Сопротивление в открытом состоянии
41,4мОм(1790165)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,3Вт(1449369)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8,8нC(1636391)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,031 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2312CDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077377
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 5,1А; 1,3Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
23.93 грн
10+
17.94 грн
25+
14.51 грн
90+
10.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4064 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
5,1А
Сопротивление в открытом состоянии
41,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8,8нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,031 g