0 0 0
  8. SI2315BDS-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI2315BDS-T1-GE3

 
SI2315BDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 953687
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
45.42 грн
10+
38.65 грн
59+
16.81 грн
162+
15.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-3А(1492259)
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм(1441532)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,48Вт(1741764)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
15нC(1479067)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-12А(1801470)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2315BDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 953687
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
45.42 грн
10+
38.65 грн
59+
16.81 грн
162+
15.94 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-3А
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,48Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
15нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g