0 0 0
  8. SI2318DS-T1-E3

Транзисторы с каналом N SMD SI2318DS-T1-E3

 
SI2318DS-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 724711
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 3А; Idm: 16А; 750мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
28.58 грн
25+
25.64 грн
47+
21.83 грн
128+
20.64 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
3А(1441397)
Сопротивление в открытом состоянии
58мОм(1479055)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,75Вт(1742053)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
16А(1741678)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2318DS-T1-E3
VISHAY
Артикул: 724711
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 3А; Idm: 16А; 750мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
28.58 грн
25+
25.64 грн
47+
21.83 грн
128+
20.64 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
3А
Сопротивление в открытом состоянии
58мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,75Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
16А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g