0 0 0
  8. SI2318DS-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI2318DS-T1-GE3

 
SI2318DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077380
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 2,4А; 0,48Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
25.52 грн
25+
22.73 грн
58+
17.39 грн
158+
16.43 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2540 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
2,4А(1441489)
Сопротивление в открытом состоянии
58мОм(1479055)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,48Вт(1741764)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2318DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077380
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 2,4А; 0,48Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
25.52 грн
25+
22.73 грн
58+
17.39 грн
158+
16.43 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2540 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
2,4А
Сопротивление в открытом состоянии
58мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,48Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g