0 0 0
  8. SI2319DS-T1-E3

Транзисторы с каналом P SMD SI2319DS-T1-E3

 
SI2319DS-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 431643
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
76.20 грн
5+
44.29 грн
25+
39.85 грн
34+
30.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4062 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-40В(1441467)
Ток стока
-2,4А(1492272)
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,8Вт(1507583)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
17нC(1479101)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-12А(1801470)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2319DS-T1-E3
VISHAY
Артикул: 431643
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
76.20 грн
5+
44.29 грн
25+
39.85 грн
34+
30.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4062 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-40В
Ток стока
-2,4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
17нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g