0 0 0
  8. SI2323DS-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI2323DS-T1-GE3

 
SI2323DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 1065331
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.24 грн
10+
52.94 грн
25+
47.30 грн
36+
27.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-3,8А(1492294)
Сопротивление в открытом состоянии
68мОм(1609782)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
19нC(1479054)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2323DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 1065331
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.24 грн
10+
52.94 грн
25+
47.30 грн
36+
27.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3000 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-3,8А
Сопротивление в открытом состоянии
68мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
19нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g