0 0 0
  8. SI2324DS-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI2324DS-T1-GE3

 
SI2324DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077381
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,8А; 1,6Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
44.86 грн
50+
33.05 грн
53+
19.20 грн
144+
18.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 11589 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
1,8А(1492260)
Сопротивление в открытом состоянии
234мОм(1790168)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
2,9нC(1479119)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2324DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077381
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,8А; 1,6Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
44.86 грн
50+
33.05 грн
53+
19.20 грн
144+
18.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 11589 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
1,8А
Сопротивление в открытом состоянии
234мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
2,9нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g