0 0 0
  8. SI2325DS-T1-E3

Транзисторы с каналом P SMD SI2325DS-T1-E3

 
SI2325DS-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 405825
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,53А; Idm: -1,6А; 0,48Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.39 грн
10+
57.98 грн
26+
38.04 грн
72+
35.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-150В(1478961)
Ток стока
-0,53А(1805612)
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,48Вт(1741764)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
12нC(1479115)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-1,6А(1810528)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2325DS-T1-E3
VISHAY
Артикул: 405825
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,53А; Idm: -1,6А; 0,48Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.39 грн
10+
57.98 грн
26+
38.04 грн
72+
35.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-150В
Ток стока
-0,53А
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,48Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
12нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-1,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g