0 0 0
  8. SI2325DS-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI2325DS-T1-GE3

 
SI2325DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140908
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,43А; 0,48Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.61 грн
5+
49.45 грн
25+
42.91 грн
27+
36.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-150В(1478961)
Ток стока
-0,43А(1702128)
Сопротивление в открытом состоянии
1,3Ом(1492416)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,48Вт(1741764)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
7,7нC(1609798)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2325DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140908
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,43А; 0,48Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
60.61 грн
5+
49.45 грн
25+
42.91 грн
27+
36.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-150В
Ток стока
-0,43А
Сопротивление в открытом состоянии
1,3Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,48Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
7,7нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g