0 0 0
  8. SI2328DS-T1-E3

Транзисторы с каналом N SMD SI2328DS-T1-E3

 
SI2328DS-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 853582
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,5А; Idm: 6А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.56 грн
10+
51.30 грн
53+
18.66 грн
146+
17.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
1,5А(1492350)
Сопротивление в открытом состоянии
0,25Ом(1459322)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5нC(1609811)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
6А(1790199)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2328DS-T1-E3
VISHAY
Артикул: 853582
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 1,5А; Idm: 6А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.56 грн
10+
51.30 грн
53+
18.66 грн
146+
17.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
1,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,25Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g