0 0 0
  8. SI2329DS-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI2329DS-T1-GE3

 
SI2329DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140909
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -6А; 1,6Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.15 грн
5+
30.96 грн
25+
27.31 грн
43+
23.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2990 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-8В(1441472)
Ток стока
-6А(1492315)
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм(1441278)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
11,8нC(1738126)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,022 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2329DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140909
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -6А; 1,6Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.15 грн
5+
30.96 грн
25+
27.31 грн
43+
23.61 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2990 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-8В
Ток стока
-6А
Сопротивление в открытом состоянии
30мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
11,8нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,022 g