0 0 0
  8. SI2333DDS-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI2333DDS-T1-GE3

 
SI2333DDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 997753
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.99 грн
3+
26.98 грн
10+
24.02 грн
25+
20.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2750 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-5,2А(1479057)
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,1Вт(1449376)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
35нC(1479287)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2333DDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 997753
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.99 грн
3+
26.98 грн
10+
24.02 грн
25+
20.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2750 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-5,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
35нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g