0 0 0
  8. SI2336DS-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI2336DS-T1-GE3

 
SI2336DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 077384
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,1А; 1,1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.61 грн
25+
12.06 грн
100+
10.64 грн
110+
9.23 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 1290 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
4,1А(1441393)
Сопротивление в открытом состоянии
52мОм(1479252)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,1Вт(1449376)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,7нC(1479169)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2336DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 077384
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,1А; 1,1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.61 грн
25+
12.06 грн
100+
10.64 грн
110+
9.23 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 1290 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
4,1А
Сопротивление в открытом состоянии
52мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,7нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g