0 0 0
  8. SI2337DS-T1-E3

Транзисторы с каналом P SMD SI2337DS-T1-E3

 
SI2337DS-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 953711
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -2,2А; Idm: -7А; 1,6Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.06 грн
10+
55.57 грн
23+
44.93 грн
62+
42.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-80В(1536865)
Ток стока
-2,2А(1479082)
Сопротивление в открытом состоянии
0,27Ом(1596293)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
17нC(1479101)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-7А(1811023)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2337DS-T1-E3
VISHAY
Артикул: 953711
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -2,2А; Idm: -7А; 1,6Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.06 грн
10+
55.57 грн
23+
44.93 грн
62+
42.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-80В
Ток стока
-2,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,27Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
17нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-7А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g