0 0 0
  8. SI2338DS-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI2338DS-T1-GE3

 
SI2338DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 959653
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6А; Idm: 25А; 1,6Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
36.99 грн
10+
29.12 грн
25+
26.05 грн
58+
17.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
6А(1441388)
Сопротивление в открытом состоянии
28мОм(1441275)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
13нC(1479038)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
25А(1742151)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2338DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 959653
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6А; Idm: 25А; 1,6Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
36.99 грн
10+
29.12 грн
25+
26.05 грн
58+
17.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
6А
Сопротивление в открытом состоянии
28мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
13нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
25А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g