0 0 0
  8. SI2342DS-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI2342DS-T1-GE3

 
SI2342DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 959651
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 8В; 6А; Idm: 30А; 1,6Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
35.09 грн
10+
29.19 грн
25+
25.92 грн
67+
14.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2951 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
8В(1492566)
Ток стока
6А(1441388)
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм(1441314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,6Вт(1449364)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
15,8нC(1811024)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
30А(1741680)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2342DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 959651
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 8В; 6А; Idm: 30А; 1,6Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
35.09 грн
10+
29.19 грн
25+
25.92 грн
67+
14.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2951 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
8В
Ток стока
6А
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
15,8нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g