0 0 0
  8. SI2343DS-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI2343DS-T1-GE3

 
SI2343DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 860516
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.20 грн
5+
44.34 грн
25+
39.50 грн
32+
31.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-4А(1492238)
Сопротивление в открытом состоянии
86мОм(1801462)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
21нC(1478964)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-15А(1741670)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2343DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 860516
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -4А; Idm: -15А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.20 грн
5+
44.34 грн
25+
39.50 грн
32+
31.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-4А
Сопротивление в открытом состоянии
86мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
21нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-15А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g