0 0 0
  8. SI2356DS-T1-BE3

Транзисторы с каналом N SMD SI2356DS-T1-BE3

 
SI2356DS-T1-BE3
 
VISHAY
Артикул: 853841
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 4,3А; Idm: 20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.00 грн
10+
21.84 грн
25+
19.06 грн
96+
10.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
4,3А(1441593)
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм(1441497)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,7Вт(1515706)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
13нC(1479038)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI2356DS-T1-BE3
VISHAY
Артикул: 853841
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 4,3А; Idm: 20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
27.00 грн
10+
21.84 грн
25+
19.06 грн
96+
10.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
4,3А
Сопротивление в открытом состоянии
70мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
13нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g