0 0 0
  8. SI2365EDS-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI2365EDS-T1-GE3

 
SI2365EDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405830
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.43 грн
25+
8.81 грн
100+
7.86 грн
150+
6.75 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 5190 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-4,5А(1643117)
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм(1441272)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,1Вт(1449376)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
36нC(1479151)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2365EDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405830
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.43 грн
25+
8.81 грн
100+
7.86 грн
150+
6.75 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 5190 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-4,5А
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
36нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g