0 0 0
  8. SI2367DS-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI2367DS-T1-GE3

 
SI2367DS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 953710
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1,1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
28.69 грн
10+
22.47 грн
25+
20.08 грн
85+
11.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-3А(1492259)
Сопротивление в открытом состоянии
66мОм(1596074)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,1Вт(1449376)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
9нC(1609896)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2367DS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 953710
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1,1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
28.69 грн
10+
22.47 грн
25+
20.08 грн
85+
11.71 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-3А
Сопротивление в открытом состоянии
66мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
9нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,02 g