0 0 0
  8. SI2371EDS-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI2371EDS-T1-GE3

 
SI2371EDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405832
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.60 грн
25+
11.25 грн
100+
9.97 грн
115+
8.61 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-4,8А(1643364)
Сопротивление в открытом состоянии
45мОм(1441266)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,1Вт(1449376)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
35нC(1479287)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2371EDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405832
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.60 грн
25+
11.25 грн
100+
9.97 грн
115+
8.61 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-4,8А
Сопротивление в открытом состоянии
45мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
35нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g