0 0 0
  8. SI2377EDS-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI2377EDS-T1-GE3

 
SI2377EDS-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140912
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; 1,1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.67 грн
25+
19.29 грн
69+
14.77 грн
188+
13.96 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2891 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-3,5А(1492400)
Сопротивление в открытом состоянии
61мОм(1632974)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,1Вт(1449376)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
7,6нC(1479410)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,023 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI2377EDS-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140912
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,5А; 1,1Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.67 грн
25+
19.29 грн
69+
14.77 грн
188+
13.96 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2891 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-3,5А
Сопротивление в открытом состоянии
61мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
7,6нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,023 g