0 0 0
  8. SI3407DV-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI3407DV-T1-GE3

 
SI3407DV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140913
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,7Вт; TSOP6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.71 грн
5+
25.09 грн
25+
22.15 грн
51+
20.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2942 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-8А(1479035)
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм(1441281)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,7Вт(1741762)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
21нC(1478964)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,042 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI3407DV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140913
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,7Вт; TSOP6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.71 грн
5+
25.09 грн
25+
22.15 грн
51+
20.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2942 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-8А
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
21нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,042 g