0 0 0
  8. SI3433CDV-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI3433CDV-T1-GE3

 
SI3433CDV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 953719
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
35.68 грн
10+
28.22 грн
25+
22.36 грн
83+
11.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-6А(1492315)
Сопротивление в открытом состоянии
38мОм(1610034)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,1Вт(1487305)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
45нC(1609966)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI3433CDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 953719
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
35.68 грн
10+
28.22 грн
25+
22.36 грн
83+
11.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-6А
Сопротивление в открытом состоянии
38мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
45нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g