0 0 0
  8. SI3440DV-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI3440DV-T1-GE3

 
SI3440DV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405710
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 1,2А; Idm: 6А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.67 грн
5+
36.68 грн
25+
32.58 грн
34+
29.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
150В(1441538)
Ток стока
1,2А(1479094)
Сопротивление в открытом состоянии
0,375Ом(1638679)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,59Вт(1811173)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
8нC(1479070)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
6А(1790199)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI3440DV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405710
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 1,2А; Idm: 6А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.67 грн
5+
36.68 грн
25+
32.58 грн
34+
29.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
150В
Ток стока
1,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,375Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,59Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
8нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g