0 0 0
  8. SI3443DDV-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI3443DDV-T1-GE3

 
SI3443DDV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140916
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 1,7Вт; TSOP6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
29.12 грн
10+
22.82 грн
25+
17.47 грн
100+
10.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-4А(1492238)
Сопротивление в открытом состоянии
47мОм(1610028)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,7Вт(1515706)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
9нC(1609896)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI3443DDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140916
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4А; 1,7Вт; TSOP6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
29.12 грн
10+
22.82 грн
25+
17.47 грн
100+
10.62 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-4А
Сопротивление в открытом состоянии
47мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
9нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g