0 0 0
  8. SI3456DDV-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI3456DDV-T1-GE3

 
SI3456DDV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 724708
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,3А; Idm: 20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
15.31 грн
25+
13.72 грн
90+
11.41 грн
240+
10.77 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
6,3А(1479155)
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,7Вт(1741762)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6нC(1479087)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI3456DDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 724708
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 6,3А; Idm: 20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
15.31 грн
25+
13.72 грн
90+
11.41 грн
240+
10.77 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
6,3А
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g