0 0 0
  8. SI3457CDV-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI3457CDV-T1-GE3

 
SI3457CDV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 140918
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 2Вт; TSOP6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
38.10 грн
50+
27.23 грн
75+
13.46 грн
206+
12.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2015 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-4,1А(1492348)
Сопротивление в открытом состоянии
74мОм(1602425)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,1нC(1633636)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,037 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI3457CDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140918
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,1А; 2Вт; TSOP6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
38.10 грн
50+
27.23 грн
75+
13.46 грн
206+
12.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2015 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-4,1А
Сопротивление в открытом состоянии
74мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,1нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,037 g