0 0 0
  8. SI3458BDV-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI3458BDV-T1-GE3

 
SI3458BDV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405711
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 3,2А; Idm: 10А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.81 грн
5+
35.89 грн
25+
32.11 грн
40+
25.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1869 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
3,2А(1492373)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,1Вт(1487305)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
11нC(1479181)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
10А(1785364)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI3458BDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405711
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 3,2А; Idm: 10А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.81 грн
5+
35.89 грн
25+
32.11 грн
40+
25.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1869 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
3,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
11нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
10А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,026 g