0 0 0
  8. SI3460DDV-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI3460DDV-T1-GE3

 
SI3460DDV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405712
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 7,9А; Idm: 20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
28.71 грн
50+
20.82 грн
100+
17.70 грн
103+
9.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2490 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
7,9А(1634358)
Сопротивление в открытом состоянии
28мОм(1441275)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,7Вт(1515706)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
18нC(1479041)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,028 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI3460DDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405712
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 7,9А; Idm: 20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
28.71 грн
50+
20.82 грн
100+
17.70 грн
103+
9.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2490 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
7,9А
Сопротивление в открытом состоянии
28мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
18нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,028 g