0 0 0
  8. SI3473CDV-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI3473CDV-T1-GE3

 
SI3473CDV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853276
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
49.40 грн
49+
20.32 грн
134+
19.21 грн
3000+
18.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2989 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-8А(1479035)
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм(1479276)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
4,2Вт(1742073)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
65нC(1479501)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,032 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI3473CDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853276
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -8А; Idm: -20А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
49.40 грн
49+
20.32 грн
134+
19.21 грн
3000+
18.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2989 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-8А
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
4,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
65нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,032 g