0 0 0
  8. SI3474DV-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI3474DV-T1-GE3

 
SI3474DV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 959599
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 3,8А; Idm: 14А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
31.75 грн
10+
24.53 грн
25+
21.67 грн
74+
13.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
3,8А(1479129)
Сопротивление в открытом состоянии
126мОм(1805228)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,33Вт(1811027)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
10,4нC(1479138)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
14А(1709893)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI3474DV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 959599
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 3,8А; Idm: 14А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
31.75 грн
10+
24.53 грн
25+
21.67 грн
74+
13.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
3,8А
Сопротивление в открытом состоянии
126мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,33Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
10,4нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
14А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g