Транзисторы с каналом P SMD SI3483CDV-T1-GE3

 
SI3483CDV-T1-GE3
 
Артикул: 140919
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; 2,7Вт; TSOP6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
29.13 грн
25+
26.11 грн
47+
21.83 грн
127+
20.64 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2445 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-7А(1492276)
Сопротивление в открытом состоянии
34мОм(1441517)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,7Вт(1741762)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
11,5нC(1609894)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,036 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI3483CDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 140919
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; 2,7Вт; TSOP6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
29.13 грн
25+
26.11 грн
47+
21.83 грн
127+
20.64 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2445 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-7А
Сопротивление в открытом состоянии
34мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,7Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
11,5нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,036 g