0 0 0
  8. SI3493DDV-T1-GE3

Транзисторы с каналом P SMD SI3493DDV-T1-GE3

 
SI3493DDV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 952520
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
23.91 грн
10+
17.85 грн
25+
15.46 грн
76+
13.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-8А(1479035)
Сопротивление в открытом состоянии
51,1мОм(1986052)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
3,6Вт(1487310)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
52,2нC(1986053)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-32А(1741684)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD SI3493DDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 952520
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -8А; Idm: -32А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
23.91 грн
10+
17.85 грн
25+
15.46 грн
76+
13.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-8А
Сопротивление в открытом состоянии
51,1мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
52,2нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-32А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g