0 0 0
  7. SI3552DV-T1-E3

Транзисторы многоканальные SI3552DV-T1-E3

 
SI3552DV-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 952640
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
48.35 грн
10+
42.09 грн
25+
35.59 грн
35+
27.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2999 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
30/-30В(1596055)
Ток стока
2,5/-1,8А(1996891)
Сопротивление в открытом состоянии
360/175мОм(1986144)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
1,15Вт(1702040)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
3,6/3,2нC(1986145)
Технология
TrenchFET®(1811164)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-7...8А(1986143)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,029 g
 
Транзисторы многоканальные SI3552DV-T1-E3
VISHAY
Артикул: 952640
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30/-30В; 2,5/-1,8А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
48.35 грн
10+
42.09 грн
25+
35.59 грн
35+
27.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2999 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
30/-30В
Ток стока
2,5/-1,8А
Сопротивление в открытом состоянии
360/175мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
3,6/3,2нC
Технология
TrenchFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-7...8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,029 g