0 0 0
  7. SI3585CDV-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SI3585CDV-T1-GE3

 
SI3585CDV-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 000311
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
33.20 грн
10+
27.49 грн
25+
24.48 грн
65+
14.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2990 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOP6(1492290)
Напряжение сток-исток
20/-20В(1596061)
Ток стока
3,1/-1,7А(1715999)
Сопротивление в открытом состоянии
78/316мОм(1716000)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
0,9/8Вт(1741768)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
4,8/9нC(1716002)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,028 g
 
Транзисторы многоканальные SI3585CDV-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 000311
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3,1/-1,7А; 0,9/8Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
33.20 грн
10+
27.49 грн
25+
24.48 грн
65+
14.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2990 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
TSOP6
Напряжение сток-исток
20/-20В
Ток стока
3,1/-1,7А
Сопротивление в открытом состоянии
78/316мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,9/8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4,8/9нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,028 g