0 0 0
  8. SI4056DY-T1-GE3

Транзисторы с каналом N SMD SI4056DY-T1-GE3

 
SI4056DY-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 959649
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,1А; Idm: 70А; 3,6Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
64.54 грн
10+
55.96 грн
25+
49.35 грн
30+
33.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
11,1А(1604786)
Сопротивление в открытом состоянии
23мОм(1441493)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
3,6Вт(1487310)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
29,5нC(1811032)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
70А(1759384)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD SI4056DY-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 959649
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11,1А; Idm: 70А; 3,6Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
64.54 грн
10+
55.96 грн
25+
49.35 грн
30+
33.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
11,1А
Сопротивление в открытом состоянии
23мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3,6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
29,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g